P型階梯摻雜4H-SiC多層薄膜同質(zhì)外延的技術(shù)方法
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4H型SiC（4H-SiC）產(chǎn)品描述：
六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能比較好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導(dǎo)體材料
P型階梯摻雜4H-SiC多層薄膜同質(zhì)外延的基本信息
產(chǎn)品名稱 | P型階梯摻雜4H-SiC多層薄膜同質(zhì)外延 |
產(chǎn)品名稱: | 4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型 |
常規(guī)尺寸: | dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm |
4H-SiC薄膜厚度： | 4.3um ±10% |
4H-SiC薄膜厚度： | 1.4E17/cc +0% /- 30% |
載流子濃度： | (3~ 10)E16 /cc |
導(dǎo)電類型： | P型 |
拋光情況： | 雙面拋光 |
4H-SiC基片尺寸： | dia 2 inch x330±25un |
4H-SiC基片電阻率: | < 0.03 ohm-cm |
4H-SiC拋光： | Si面CMP單拋 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 超凈袋真空包裝或單片盒裝 |
生產(chǎn)廠家 | 西安pg電子官方生物科技有限公司 |
SiC外延膜實(shí)物圖：
碳化硼SiC的外延生長(zhǎng)的方法包括以下幾種
1)化學(xué)氣相淀積CVD:（分為CVD和HTCVD高溫兩種）
2)升華或物理氣相傳輸法PVT（分為Lely熔法/LETI法和升華三明治法）
3)分子束外延MBE
4)液相外延LPE：（又包含Si溶劑和其他溶劑兩種）
化學(xué)氣相淀積CVD法是制造**外延結(jié)構(gòu)的方法。反應(yīng)器中的壓力可以通過(guò)氣體產(chǎn)生，低壓化學(xué)氣相淀積LPCVD，壓力為10~1000mbar，低壓可以減小氣相成核，SiC一般使用較為廣泛。這種方法的產(chǎn)量非常高。外延生長(zhǎng)過(guò)程中，氣相Si和C的比例會(huì)影響生長(zhǎng)速率、外延層的質(zhì)量以及雜質(zhì)的摻入，CVD的一個(gè)優(yōu)勢(shì)便是可以在生長(zhǎng)過(guò)程中很好地控制Si/C比。目前，對(duì)于SiC外延層仍然存在各種缺陷，從而對(duì)器件特性造成影響，所以針對(duì)SiC的外延生長(zhǎng)工藝需要進(jìn)行不斷的優(yōu)化，同時(shí)整個(gè)SiC器件的生產(chǎn)工藝以及設(shè)備也是后期不斷關(guān)注的話題。
西安pg電子官方生物供應(yīng)薄膜產(chǎn)品列表
Ag膜 | ITO膜 | Si3N4膜 |
Al膜 | InAlAs膜 | SOS膜 |
AlN膜 | InGaAs膜 | SOI膜 |
Au膜 | InGaP膜 | SiC?4H?膜P型 |
AlGaN膜 | ITO+ZnO | SiC?3C膜 |
BN氮化硼薄膜 | La0.7Sr0.3MnO3/Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3 | SiO2膜 |
Ba1-xSrxTiO3膜 | La0.7Sr0.3MnO3/ PbZr(x)Ti(1-x)O3 | SrTiO3膜 |
BiFeO3膜 | SiO2+Pt 薄膜 | YBCO膜 |
Cu銅膜 | SrMoO4薄膜 | YIG膜 |
CeO2膜 | LaFeO3膜 | ZnO膜 |
Diamond金剛石膜 | LaNiO3膜 | 摻雜ZnO膜 |
FTO導(dǎo)電膜 | La1-xSrxMnO3膜 | SrRuO3薄膜 |
GOI膜 | La1-xSrxTiO3膜 | TiO2薄膜 |
GaAs膜 | La2Zr2O7膜 | ZnO/Au/Cr薄膜 |
GaN膜 | Mo膜 | ZnO/SiO2復(fù)合薄膜 |
Ga2O3-?膜 | MoS2膜 | ZnO/鈉鈣玻璃薄膜 |
Ge膜 | Ni膜 | ZnO/Pt/T復(fù)合薄膜 |
Graphene石墨烯 | Pt膜 | |
Ag膜 | ITO膜 | Si3N4膜 |
Al膜 | InAlAs膜 | SOS膜 |
AlN膜 | InGaAs膜 | SOI膜 |
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