| 貨號(hào) |
產(chǎn)品名稱 |
購(gòu)買 |
| Q-0065661 |
Si(100)襯底上生長(zhǎng)InP/InGaAs核殼結(jié)構(gòu)納米線 |
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| Q-0065660 |
InP/InGaAs核殼結(jié)構(gòu)納米線 |
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| Q-0065659 |
Si/Si O2襯底上生長(zhǎng)出了In P納米線 |
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| Q-0065658 |
Si(100),(111)襯底上成功生長(zhǎng)了InP納米線 |
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| Q-0065657 |
Si襯底上InP納米線 |
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| Q-0065656 |
InP-InAsP納米線 |
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| Q-0065655 |
非晶硅氧化物納米線的修飾 |
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| Q-0065654 |
基于GaAs納米線側(cè)壁InAs量子點(diǎn) |
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| Q-0065653 |
As/GaAs納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料 |
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| Q-0065652 |
特定形貌和晶體結(jié)構(gòu)的InAs納米線 |
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| Q-0065651 |
硅襯底上生長(zhǎng)InAs/GaSb核殼異質(zhì)結(jié)納米線 |
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| Q-0065650 |
InAs納米線表面生長(zhǎng)覆蓋InP包層 |
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| Q-0065649 |
InAs/GaAs橫向異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米線 |
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| Q-0065648 |
InAs/GaSb超晶格半導(dǎo)體納米線 |
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| Q-0065647 |
金(Au)納米顆粒修飾的InAs納米線 |
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| Q-0065646 |
InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
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| Q-0065645 |
雙勢(shì)壘InAs/InP納米線異質(zhì)結(jié) |
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| Q-0065644 |
ZnO/ZnSe II型同軸納米線 |
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| Q-0065643 |
GaNZnO固溶體納米線 |
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| Q-0065642 |
ZnSe/5B2O3-95SiO2納米復(fù)合材料 |
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| Q-0065641 |
CdSe/ZnSe納米粒子和石墨烯納米復(fù)合材料 |
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| Q-0065640 |
ZnO/TiO2/Ag/ZnSe納米線 |
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| Q-0065639 |
ZnS,Ag2S,PbS,CuS,Cu2S,Bi2S3和Sb2S3納米線定制 |
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| Q-0065638 |
硫醇修飾Sb2S3納米線 |
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| Q-0065637 |
Sb2S3納米線-氧化石墨烯(GO)包覆的復(fù)合材料 |
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| Q-0065636 |
B-GO/PANI和S-GO/PANI納米線復(fù)合材料 |
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| Q-0065635 |
微孔炭/聚苯胺納米線(MC/PANI)復(fù)合材料 |
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| Q-0065634 |
聚苯胺納米線(PANI)與聚丙烯酸(PAA)復(fù)合材料 |
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| Q-0065633 |
HPA/PANI納米線列陣 |
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| Q-0065632 |
聚苯胺納米線/還原氧化石墨烯(PANI/rGO)復(fù)合材料 |
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| Q-0065631 |
核殼結(jié)構(gòu)的二氧化錳納米線/聚苯胺(polyaniline,PANI)整體材料 |
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| Q-0065630 |
二氧化錳納米線表面生長(zhǎng)聚苯胺PANi |
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| Q-0065629 |
聚乙二醇/金納米粒子/聚苯胺納米線(PEG/AuNPs/PANI) |
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| Q-0065628 |
聚苯胺納米線(PANI)為基底,繼而修飾上金納米粒子 |
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| Q-0065627 |
交聯(lián)狀聚苯胺包覆碳纖維(PANI/CNF)復(fù)合納米線 |
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| Q-0065626 |
PANI納米線/還原氧化石墨烯復(fù)合材料 |
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| Q-0065625 |
TMEG表面生長(zhǎng)的PANI納米線(PANI/TMEG10%,長(zhǎng)度為100 nm、直徑為50 nm) |
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| Q-0065624 |
聚苯胺包覆改性硅納米粒子 |
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| Q-0065623 |
PANi納米線結(jié)構(gòu)(PNW-Si NPs) |
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| Q-0065622 |
酸摻雜的P型導(dǎo)電聚合物PANI納米線 |
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| Q-0065621 |
PANI納米線均勻負(fù)載于纖維素膜表面 |
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| Q-0065620 |
鐵離子摻雜PANI納米線 |
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| Q-0065619 |
表面包覆PANI納米線的PGMA@PANI復(fù)合納米材料 |
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| Q-0065618 |
聚苯胺/銀納米線/碳納米管復(fù)合材料 |
詳細(xì)信息 |
| Q-0065617 |
Cu2O/TiO2、PANI/TiO2同軸納米線 |
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